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Goford Semiconductor G10N10A

N100V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<22
part number has RoHS
Hersteller Modell :G10N10A
Dasenic Modell :G10N10A-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : N100V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<22
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 0.3116$ 3.12
2500+$ 0.1731$ 432.75
5000+$ 0.1601$ 800.5
7500+$ 0.1731$ 1298.25
12500+$ 0.1463$ 1828.75
Auf Lager: 12822
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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Gesamt :$ 0.31
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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G10N10A Informationen

  • Goford Semiconductor G10N10A technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
  • 消費電力(最大):3.1W (Ta)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A (Ta)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:20mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:1.6V @ 250µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:90 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2600 pF @ 50 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G10N10A bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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