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Goford Semiconductor G18P03D3

P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
part number has RoHS
Hersteller Modell :G18P03D3
Dasenic Modell :G18P03D3-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 2.4200$ 2.42
10+$ 1.5220$ 15.22
100+$ 2.4200$ 242
500+$ 0.7786$ 389.3
1000+$ 0.7066$ 706.6
Auf Lager: 1673
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 2.42
Gesamt :$ 2.42
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G18P03D3 Informationen

  • Goford Semiconductor G18P03D3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (3.15x3.05)
  • 消費電力(最大):40W (Tc)
  • F E Tタイプ:P-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:28A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:10mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:30 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2060 pF @ 15 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G18P03D3 bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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