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Goford Semiconductor G60N10T

Name: G60N10T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: DS-6152322
Price: 0.3969 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30

Hersteller Modell :G60N10T

Hersteller :Goford Semiconductor

Dasenic Modell :G60N10T-DS

Dokument :

G60N10T Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30

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15000+	$ 0.3663	$ 5494.5
30000+	$ 0.3303	$ 9909

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G60N10T Informationen

Goford Semiconductor G60N10T technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
消費電力（最大）:160W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:60A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:146 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3970 pF @ 50 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
G60N10T,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

G60N10T bereitgestellt von Goford Semiconductor

1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。