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Goford Semiconductor GC20N65F

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
part number has RoHS
Hersteller Modell :GC20N65F
Dasenic Modell :GC20N65F-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
100+$ 1.2384$ 123.84
15000+$ 1.1430$ 17145
30000+$ 1.0287$ 30861
Auf Lager: 38049
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 1.2384
Gesamt :$ 1.24
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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GC20N65F Informationen

  • Goford Semiconductor GC20N65F technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220F
  • 消費電力(最大):34W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:170mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:39 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1724 pF @ 100 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
  • Vgs (最大):±30V
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GC20N65F bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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