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Goford Semiconductor GT100N12T

Name: GT100N12T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: DS-6192352
Price: 0.5202 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

Hersteller Modell :GT100N12T

Hersteller :Goford Semiconductor

Dasenic Modell :GT100N12T-DS

Dokument :

GT100N12T Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.

Menge	Einzelpreis	Gesamt
150+	$ 0.5202	$ 78.03
15000+	$ 0.4806	$ 7209
30000+	$ 0.4320	$ 12960

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GT100N12T Informationen

Goford Semiconductor GT100N12T technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Through Hole
Verpackung/ Koffer:TO-220-3
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220
Verlustleistung (max.):120W (Tc)
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):120 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:70A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:10mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) ( Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:50 nC @ 10 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:3050 pF @ 60 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V
Vgs (max.):±20V
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
GT100N12T,

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Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich innerhalb von 1–3 Tagen versandt. Dasenic versendet Bestellungen einmal täglich gegen 18:00 Uhr, außer sonntags. Nach dem Versand hängt die voraussichtliche Lieferzeit von den unten von Ihnen ausgewählten Spediteuren ab.
DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

GT100N12T bereitgestellt von Goford Semiconductor

Seit der Gründung im Jahr 1995 hat sich Goford Semiconductor zu einem globalen Unternehmen mit Niederlassungen in den USA, Hongkong, Australien, Shenzhen und Jiangsu entwickelt. Wir haben uns immer der Forschung und Entwicklung sowie dem Vertrieb von Power-Mosfets-Produkten gewidmet. Wir konzentrieren uns auf Energieeffizienz, Mobilität und Zuverlässigkeit, um dem Markt kostengünstige Produkte anzubieten.