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Goford Semiconductor 03N06

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MOQ: 1
4 Preisstufen
  • Hersteller Modell :03N06
  • Hersteller :Goford Semiconductor
  • Dasenic Modell :03N06-DS
  • Dokument : 03N06 Dokument PDF
  • Beschreibung : N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
  • Verpackung :-
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Goford Semiconductor 03N06 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-
Montagetyp:-
Verpackung/ Koffer:-
Technologie:-
Gerätepaket des Lieferanten:-
Verlustleistung (max.):-
F E T- Typ:-
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):-
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:-
R D S ein (max.) bei I D, V G S:-
Vgs(th) ( Max) @ Id:-
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:-
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:-
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):-
Vgs (max.):-
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
03N06 bereitgestellt von Goford Semiconductor
Seit der Gründung im Jahr 1995 hat sich Goford Semiconductor zu einem globalen Unternehmen mit Niederlassungen in den USA, Hongkong, Australien, Shenzhen und Jiangsu entwickelt. Wir haben uns immer der Forschung und Entwicklung sowie dem Vertrieb von Power-Mosfets-Produkten gewidmet. Wir konzentrieren uns auf Energieeffizienz, Mobilität und Zuverlässigkeit, um dem Markt kostengünstige Produkte anzubieten.

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

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