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  • Goford Semiconductor 18N10

    N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :18N10
  • Hersteller :Goford Semiconductor
  • Dasenic Modell :18N10-DS
  • Dokument :pdf download 18N10 Dokument
  • Beschreibung : N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
  • Verpackung :-
  • Menge :
    Einzelpreis : $ 0.2948Gesamt : $ 0.29
  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
  • Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
  • Waren ausliefern :
    dhlupsfedex
  • Zahlung :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
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( MOQ : 1 PCS )
PREISE (USD) : *Alle Preise sind in US Dollar berechnet
MengeEinzelpreisGesamt
10 +$ 0.2948$ 2.95
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15000 +$ 0.1512$ 2268.00
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Goford Semiconductor 18N10 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-
取り付けタイプ:-
パッケージ/ケース:-
テクノロジー:-
サプライヤーデバイスパッケージ:-
消費電力(最大):-
F E Tタイプ:-
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):-
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):-
Vgs (最大):-
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor 18N10
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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