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Goford Semiconductor 18N10
Hersteller Modell :18N10
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :18N10-DS
Dokument : 18N10 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
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18N10 Informationen
Goford Semiconductor 18N10 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-
- Montagetyp:-
- Verpackung/ Koffer:-
- Technologie:-
- Gerätepaket des Lieferanten:-
- Verlustleistung (max.):-
- F E T- Typ:-
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):-
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:-
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:-
- Vgs(th) ( Max) @ Id:-
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:-
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:-
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):-
- Vgs (max.):-
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
18N10 bereitgestellt von Goford Semiconductor
Seit der Gründung im Jahr 1995 hat sich Goford Semiconductor zu einem globalen Unternehmen mit Niederlassungen in den USA, Hongkong, Australien, Shenzhen und Jiangsu entwickelt. Wir haben uns immer der Forschung und Entwicklung sowie dem Vertrieb von Power-Mosfets-Produkten gewidmet. Wir konzentrieren uns auf Energieeffizienz, Mobilität und Zuverlässigkeit, um dem Markt kostengünstige Produkte anzubieten.
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