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Goford Semiconductor G110N06K

Name: G110N06K
Brand: Goford Semiconductor
SKU: G110N06K-DS
Price: 0.5864 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 14522

MOQ: 1

2 Preisstufen

Hersteller Modell :G110N06K
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :G110N06K-DS
Dokument : G110N06K Dokument PDF
Beschreibung : N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Verpackung :-
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Goford Semiconductor G110N06K technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Produktstatus:Active

Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp:Surface Mount

Verpackung/ Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Technologie:MOSFET (Metal Oxide)

Gerätepaket des Lieferanten:TO-252

Verlustleistung (max.):160W (Tc)

F E T- Typ:N-Channel

F E T- Funktion:-

Drain- Source- Spannung ( Vdss):60 V

Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:110A (Tc)

R D S ein (max.) bei I D, V G S:6.4mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) ( Max) @ Id:2.5V @ 250µA

Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:113 nC @ 10 V

Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:5538 pF @ 25 V

Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):4.5V, 10V

Vgs (max.):±20V

EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant

MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

REACH-Status:REACH Unaffected

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.29.0095

China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G110N06K bereitgestellt von Goford Semiconductor

Seit der Gründung im Jahr 1995 hat sich Goford Semiconductor zu einem globalen Unternehmen mit Niederlassungen in den USA, Hongkong, Australien, Shenzhen und Jiangsu entwickelt. Wir haben uns immer der Forschung und Entwicklung sowie dem Vertrieb von Power-Mosfets-Produkten gewidmet. Wir konzentrieren uns auf Energieeffizienz, Mobilität und Zuverlässigkeit, um dem Markt kostengünstige Produkte anzubieten.