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Certifications for ISO9001
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Certifications for ISO45001
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  • Goford Semiconductor 03N06

    N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :03N06
  • Hersteller :Goford Semiconductor
  • Dasenic Modell :03N06-DS
  • Dokument :pdf download 03N06 Dokument
  • Beschreibung : N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
  • Verpackung :-
  • Menge :
    Einzelpreis : $ 0.0697Gesamt : $ 0.07
  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
  • Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
  • Waren ausliefern :
    dhlupsfedex
  • Zahlung :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
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PREISE (USD) : *Alle Preise sind in US Dollar berechnet
MengeEinzelpreisGesamt
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15000 +$ 0.0360$ 540.00
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Goford Semiconductor 03N06 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-
Montagetyp:-
Verpackung/ Koffer:-
Technologie:-
Gerätepaket des Lieferanten:-
Verlustleistung (max.):-
F E T- Typ:-
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):-
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:-
R D S ein (max.) bei I D, V G S:-
Vgs(th) ( Max) @ Id:-
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:-
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:-
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):-
Vgs (max.):-
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor 03N06
Seit der Gründung im Jahr 1995 hat sich Goford Semiconductor zu einem globalen Unternehmen mit Niederlassungen in den USA, Hongkong, Australien, Shenzhen und Jiangsu entwickelt. Wir haben uns immer der Forschung und Entwicklung sowie dem Vertrieb von Power-Mosfets-Produkten gewidmet. Wir konzentrieren uns auf Energieeffizienz, Mobilität und Zuverlässigkeit, um dem Markt kostengünstige Produkte anzubieten.
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