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Goford Semiconductor G20N06D52
Hersteller Modell :G20N06D52
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :G20N06D52-DS
Dokument : G20N06D52 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M
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G20N06D52 Informationen
Goford Semiconductor G20N06D52 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- パワー - 最大:45W (Ta)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (4.9x5.75)
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:30mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:25nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1220pF @ 30V
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G20N06D52 bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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