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Goford Semiconductor G4616
Hersteller Modell :G4616
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :G4616-DS
Dokument : G4616 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : N+P/-40V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)
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G4616 Informationen
Goford Semiconductor G4616 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:2W (Tc), 2.8W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
- F E Tタイプ:N and P-Channel Complementary
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A (Tc), 7A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:12nC @ 10V, 13nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:415pF @ 20V, 520pF @ 20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G4616 bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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